近日，我院物理系毛宏颖副教授与杨旭昕博士合作在Nanomaterials（IF = 4.034）发表题为 “Thermal Stability of Octadecyltrichlorosilane and Perfluorooctyltriethoxysilane Monolayers on SiO₂”的学术论文。利用紫外光电子能谱（UPS）与X光电子能谱（XPS），作者系统研究了SiO₂衬底表面十八烷基三氯硅烷（OTS）与1H,1H,2H,2H-全氟辛基三乙氧基硅烷（PTES）自组装单分子层的热稳定性。研究结果表明，在超高真空环境中OTS具有很好的热稳定性直至温度升高至573 K，而PTES在温度升高至373 K ~ 423 K时会发生分解。根据XPS能谱结果，作者发现PTES在真空环境中的受热分解表现为烷基链侧链上CF₂与CF₃基团的断裂而非整个烷基链的断裂。此外，由于两种自组装单分子层热稳定性的不同，OTS的表面功函数在热处理过程中保持不变，而PTES的表面功函数由5.62 eV降低至5.16 eV。

OTS和PTES真空热处理过程中的XPS谱图